Како функционишу ГаН чипови у ометачима сигнала дронова?

Како претња од дронова наставља да ескалира у кључним објектима и војним ограниченим областима широм света, ограничења снаге и уска грла за расипање топлоте традиционалних ометача сигнала постају све истакнутија. Револуционарна примена чипова од галијум нитрида (ГаН) покреће технологију противмера за беспилотне летелице у нову еру ефикасности, мале тежине и интелигенције. Принцип рада и техничке предности ГаН чипова у ометачима дронова и изгледи за њихов тржишни потенцијал. Дефиниција галијум нитрида (ГаН) галијум нитрида (ГаН) је полупроводнички материјал широког појаса који се користи у низу апликација, укључујући енергетску електронику, РФ уређаје и оптичке уређаје. За разлику од традиционалних силицијумских полупроводника, ГаН нуди супериорне перформансе у окружењима велике снаге и високе фреквенције. Ово чини ГаН идеалним материјалом за РФ компоненте у ометачима сигнала дронова, где су руковање снагом и верност сигнала критични.

1. ГаН чипови: „срце“ РФ ометача велике снаге

(1) Висока фреквенција и висока ефикасност, пробијање кроз физичке границе материјала на бази силицијума. ГаН чипови могу стабилно да раде на вишим напонима, температурама и фреквенцијама због својих полупроводничких карактеристика са широким размаком (ширина појасног размака од 3,4 еВ, што далеко премашује 1,1 еВ силицијумских материјала). У ометачима дронова, ГаН чипови могу повећати густину РФ снаге на 5-10 пута већу од традиционалних уређаја заснованих на силикону, подржавају истовремено ометање у више опсега као што је 2,4ГХз/5,8ГХз/ГПС Л1/Л2 и ефикасно потисну контролне и навигационе сигнале као што су ДЈИ идронес.

(2) Дизајн са малим губицима за продужење трајања батерије и трајања уређаја. Традиционални ометачи су склони губитку енергије више од 30% због велике отпорности уређаја на бази силицијума, што доводи до озбиљног загревања уређаја. Мобилност електрона ГаН чипова је чак 2000 цм²/(В·с), што значајно смањује комутационе губитке и потрошњу топлотне енергије, омогућавајући ометачу да одржи рад на ниској температури при 50В континуиране излазне снаге, што је погодно за дугорочну употребу на отвореном.

(3) Компактна интеграција која омогућава преносне противмере Минијатуризација ГаН чипова омогућава да дизајн ометача буде лакши. На пример, одређени тип ручног пиштоља за ометање користи ГаН решење да смањи своју тежину на мање од 2,5 кг, којим може да управља један војник, а удаљеност пресретања и даље може да достигне 1,5 километара.

2. Технолошко слетање: Како ГаН постиже прецизно потискивање сигнала?

(1) Динамичко пребацивање фреквентног опсега да се носи са сложеним електромагнетним окружењима На основу софтверски дефинисане радио фреквенције (СДР) засноване на ГаН-у, ометач може скенирати комуникациони опсег дронова (као што је 900МХз даљински управљач или ГПС сигнал од 1,5ГХз) у реалном времену и преносити снопове интерференције у законитом облику комуникације путем дама технологије.

(2) Стратегија интерференције са више модова како би се дрон принудио да изврши хитно слетање или повратак. Режим сузбијања напајања: Покријте праг пријема сигнала дрона са вршном снагом од 50 В и директно прекинуте његову везу са контролном страном. Режим обмане навигације: Кроз способност одзива високе фреквенције ГаН чипа, симулирајте лажне ГПС координате да бисте подстакли дрон да скрене са руте.

(3) Интелигентно управљање топлотом како би се осигурала стабилност у екстремним окружењима. Модул за ометање војног нивоа користи технологију ГаН-он-СиЦ супстрата и микрофлуидни канал за дисипацију топлоте. Може да ради непрекидно 8 сати у окружењу од -40°Ц до +85°Ц и погодан је за оштре сцене као што су пустиње и поларни региони.

3. Изгледи на тржишту: Експлозивни раст ГаН опреме за противмере

(1) Пораст потражње у индустрији Према Инфинеоновом „Извештају о прогнозама за полупроводнике ГаН за 2025.“, глобално тржиште опреме за борбу против беспилотних летелица ће премашити 12 милијарди америчких долара у 2027. години, од чега ће пенетрација ГаН чипова премашити 60%.

(2) Ширење прекограничне примене ГаН технологија се протеже од војних противмера до цивилних поља: Паметни град: Активна заштита зона забрањених летова као што су аеродроми и нуклеарне електране. Енергетска безбедност: Инспекција дронова и противмере за нафтоводе и гасоводе и објекте електроенергетске мреже.

(3) Предност у цени је истакнута Са масовном производњом великих произвођача као што су ТСМЦ и Инфинеон, цена ГаН чипова се приближила цени уређаја на бази силицијума, и очекује се да ће постати стандардно решење за ометаче средњег и високог квалитета након 2025. године.

4. ГаН ометач стварне борбене перформансе

(1) Одређена блискоисточна војна база: Након постављања ГаН система за ометање, 97% непријатељских извиђачких дронова је успешно пресретнуто, а просечно време одговора је скраћено на 3 секунде.

(2) Безбедност Европског међународног самита: Преносни ГаН ометачи постижу блокирање целог опсега у радијусу од 2 км у сложеним урбаним срединама са нултом стопом лажних аларма.

ГАН 50В модул појачала снаге са заштитом од круга 

ГаН чипови редефинишу поље противмера беспилотних летелица уз помоћ дисруптивне технологије. Било да се ради о густини снаге, прилагодљивости околини или исплативости, његове предности далеко превазилазе традиционална решења. Посетите нашу званичну веб страницу сада да бисте видели најновију линију производа ГаН ометача и добили прилагођена решења за противмере!